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Samsung presenta y sus últimas tecnologías de Silicio

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  • Una nueva generación de procesadores y soluciones de memoria Samsung para impulsar la innovación en los mercados móvil, doméstico, de centros de datos y automotriz.

Samsung Electronics Co. Ltd., uno de los principales fabricantes mundiales de tecnologías avanzadas de semiconductores, presentó nuevos dispositivos avanzados de memoria y lógica de sistema en el Samsung Tech Day 2019. Samsung presentó las nuevas capacidades de los procesadores y dispositivos de memoria que alimentarán los 5G, AI, cloud computing, edge interface, IoT y los vehículos sin conductor del futuro. La compañía presentó el nuevo procesador móvil de gama alta Exynos 990 y el módem compatible con Exynos 5123 5G, además de anunciar la tercera generación de DRAMs de 10 nanómetros (1z-nm) para la producción masiva.

«Samsung se centra en las tecnologías de semiconductores más avanzadas para impulsar la innovación en mercados clave», dijo JS Choi, Presidente de Samsung Semiconductors. Desde dispositivos de integración de sistemas a gran escala perfectamente adecuados para 5G y AI en el mundo real, hasta discos de unidades de estado sólido (SSD) avanzados que gestionan tareas críticas y descargan la CPU, estamos comprometidos a proporcionar capacidades de infraestructura que están diseñadas para permitir cada ola de innovación.»

Las nuevas tecnologías anunciadas incluyen:

  • Procesador Exynos 990 y módem 5G 5123 de Exynos: Optimice la experiencia de usuario de la IA integrada con una unidad de procesamiento neural de doble núcleo (NPU) y un procesador de señales digitales mejorado (DSP) que puede realizar más de diez billones de operaciones por segundo.

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  • DRAM de tercera generación de 10 nanómetros (1z-nm): Optimizada para el desarrollo de plataformas de servidores de gama alta, la memoria DRAM de 1z-nm abre la puerta a una gama de memorias de última generación, entre las que se incluyen DDR5, LPDDR5, HBM2E y GDDR6 desde el principio del nuevo año.

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  • 12GB LPDDR4X uMCP LPDDR4X (paquetes multichip con UFS): Combina cuatro chips LPDDR4X de 24Gbit y memoria flash NAND en una interfaz eUFS 3.0 de alto rendimiento en una sola carcasa, superando el límite actual de 8GB para smartphones de gama media y proporcionando más de 10GB de almacenamiento al mercado de smartphones en general.

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Samsung también propuso nuevas oportunidades de negocio para las tecnologías de almacenamiento de próxima generación, incluyendo la memoria V-NAND de séptima generación, que tiene casi 200 capas (1yyy) para soluciones de almacenamiento móviles y otras soluciones de almacenamiento de gama alta y las unidades SSD PCIe de quinta generación para aplicaciones de almacenamiento y servidores del futuro.

La tercera edición del evento Tech Day de Samsung, que acogió a las empresas líderes de Silicon Valley, contó con la colaboración de clientes en procesadores gráficos, PCIe de 4ª generación y HBM2e, un panel de clientes líder del sector, y un pabellón de demostración que mostró el futuro de la automatización del hogar, los centros de datos, la tecnología móvil/5G y la industria del automóvil.

«Los avances tecnológicos en 5G, la computación computarizada al borde de la red y la inteligencia artificial están transformando nuestro mundo a un ritmo exponencial. El impacto de la IA se sentirá en todas partes, desde nuevos canales de comunicación hasta conexiones sin precedentes. Los automóviles sin conductor recorrerán nuestras carreteras, mientras que los hogares y las empresas estarán realmente conectados», dijo Choi. Para fomentar estas innovaciones, la infraestructura tecnológica debe ser la que marque el camino. Samsung está comprometido a permanecer en el corazón de toda esta innovación, y será fascinante ver lo que el mundo nos tiene reservado.

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