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Kioxia impulsa la evolución de la memoria DRAM 3D
La carrera por memorias más potentes y eficientes entra en una nueva fase desde Japón con Kioxia Holdings Corporation, uno de los mayores fabricantes de memoria del mundo. La compañía presentó una tecnología clave que permite hacer viable la DRAM 3D de alta densidad y bajo consumo, un desarrollo que responde a las crecientes exigencias de centros de datos, inteligencia artificial y dispositivos conectados.
El anuncio se realizó durante un foro técnico internacional en Estados Unidos, donde Kioxia detalló una arquitectura basada en transistores de canal de óxido-semiconductor altamente apilables. Este enfoque permite superar las limitaciones físicas de la DRAM tradicional, que enfrenta dificultades para seguir aumentando capacidad sin elevar el consumo energético y el tamaño del chip.
Además, esta tecnología facilita el apilamiento vertical de múltiples capas de transistores, lo que abre la puerta a memorias con mayor densidad en espacios más reducidos. En consecuencia, se espera una reducción relevante en el consumo energético, un factor crítico para infraestructuras de cómputo intensivo y almacenamiento a gran escala.
Asimismo, el avance se alinea con la estrategia de Kioxia de fortalecer soluciones 3D, un terreno donde la empresa ya tiene experiencia con su memoria flash vertical. La combinación de DRAM 3D y procesos de apilamiento avanzado permite atender la demanda de sistemas que requieren mayor velocidad y eficiencia, especialmente en servidores de IA y análisis de datos.
También destaca que esta innovación llega en un momento de presión global sobre la cadena de semiconductores, donde fabricantes buscan diferenciarse mediante eficiencia energética y escalabilidad. Lee también: Una app viral que avisa si desapareces sin dejar rastro
Del mismo modo, Kioxia indicó que las pruebas demostraron un rendimiento estable en configuraciones de múltiples capas, un paso esencial para la adopción comercial. Este desarrollo refuerza la tendencia del sector hacia arquitecturas tridimensionales como solución a los límites del silicio plano.
El cierre del anuncio subraya que la demanda de memoria avanzada seguirá creciendo impulsada por IA, servicios en la nube y dispositivos inteligentes, áreas donde la eficiencia energética ya no es opcional, sino un requisito técnico.
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